‘Atoomdunne’ transistors kunnen helpen om elektronische skins te realiseren

elektronische huid Het zou pas echt praktisch worden als het dun genoeg was om vrijwel onmerkbaar te zijn, en wetenschappers hebben deze doorbraak misschien net gemaakt. Stanford-onderzoekers Geavanceerd Nieuwe technologie produceert “atomaire dunne” transistors met een lengte van minder dan 100 nanometer. Dit is volgens de universiteit “meerdere keren” korter dan het vorige beste.

Het team bereikte deze prestatie door een al lang bestaande hindernis op het gebied van flexibele technologie te overwinnen. Hoewel 2D-halfgeleiders de ideale oplossing zijn, hebben ze veel warmte nodig om het flexibele plastic te laten smelten. De nieuwe benadering omvat glas-gecoat silicium met een zeer dunne laag halfgeleider (molybdeendisulfide) bedekt met nano-gouden elektroden. Dit resulteert in een film van slechts drie atomen dik bij een temperatuur van bijna 1500 graden Fahrenheit – een conventioneel plastic substraat zou ongeveer 680 graden Fahrenheit vervormen.

Zodra de componenten zijn afgekoeld, kan het team de film op het substraat aanbrengen en een paar “extra fabricagestappen” nemen om een ​​volledige structuur te creëren van ongeveer vijf micron dik, of een tiende van de dikte van een mensenhaar. Het is zelfs ideaal voor gebruik met een laag stroomverbruik, omdat het hoge stromen aankan bij een lage spanning.

Er is meer werk aan de winkel. De onderzoekers willen de flexibele technologie verbeteren en draadloze technologie opnemen die netwerken mogelijk maakt zonder omvangrijke hardware. Dit negeert ook de uitdagingen die typisch zijn voor dergelijke technologie – uitvinders zullen een manier moeten vinden om deze transistors tegen redelijke prijzen in massaproductie te produceren. Als dit echter lukt, kan dit leiden tot zeer efficiënte elektronische formulieren, Planten en andere bijna onmerkbare flexibele apparaten.